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當前位置：首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > > CMP 晶圓減薄拋光 > 6EZ-SIC拋光機
簡(jiǎn)要描述：Revasum擁有多年研磨和拋光超硬材料（如SiC）的經(jīng)驗，6EZ SiC拋光機是市場(chǎng)上僅有的一款專(zhuān)門(mén)為拋光SiC基片而設計的SiC CMP工具，競爭對手的拋光機基本上是為拋光硅集成電路而設計的，這有一套非常不同的要求，6EZ與其競爭對手之間最重要的區別在于晶圓載具的設計
產(chǎn)品型號：廠(chǎng)商性質(zhì)：代理商產(chǎn)品資料：更新時(shí)間：2024-09-20訪(fǎng) 問(wèn) 量： 2554產(chǎn)品分類(lèi)
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6EZ晶圓載具設計的優(yōu)勢：
·Revasum擁有多年研磨和拋光超硬材料（如SiC）的經(jīng)驗
·6EZ SiC拋光機是市場(chǎng)上僅有的一款專(zhuān)門(mén)為拋光SiC基片而設計的SiC CMP工具
·競爭對手的拋光機基本上是為拋光硅集成電路而設計的，這有一套非常不同的要求
·6EZ與其競爭對手之間最重要的區別在于晶圓載具的設計
布局和功能：
綜合清潔站
·向晶圓的上表面和下表面分配1或2中清潔化學(xué)品
·高壓噴淋棒（10psi）
晶圓翻轉
·濕式機器人實(shí)現雙面拋光
濕式轉運站
·DIW和化學(xué)沖洗
三臺200rpm拋光臺，帶拋光臺和拋光墊冷卻（5ºC）
·專(zhuān)用載體、護墊調節劑和護墊清潔劑
·兩種漿料的流量控制器
·每張桌上的化學(xué)清潔劑（第三種漿料可選）
漿料分配臂
調節臂和盤(pán)片
優(yōu)化晶圓載體
·基于經(jīng)驗證的ViPRR技術(shù)的設計
晶圓處理
·全自動(dòng)C2C晶圓
·邊緣抓握干式機器人搬運
·最多50片晶圓，無(wú)需操作員干預
晶圓載體對照表
| 項目 | 6EZ(板＋萬(wàn)向節) | 競爭對手(薄膜) | 影響 |
| 晶圓載體設計 | 板+萬(wàn)向節設計(適用于SiC) | 基于膜的設計(適用于硅薄膜) | 6EZ從頭開(kāi)始為SiC設計 |
| 拋光下壓力 | 更高的"拋光下壓力"(設計強勁，無(wú)RR力) | 較低的"拋光下壓力"(薄膜較弱，RR力降低拋光力) | MRR |
| 可靠性 | 穩健設計，可靠性高 | 膜可能會(huì )意外失效（破裂） | 正常運行時(shí)間，成本（膜成本高） |
| 扣環(huán)設計 | 扣環(huán)不接觸拋光墊；沒(méi)有晶圓溢出 | 扣環(huán)上的下壓力較大(需要保持晶圓) | |
| 下壓力 | 更高的"拋光下壓力"(100%的力用于晶圓) | 較低的"拋光力"(超過(guò)RR所用力的一半) | MRR |
| 扣環(huán)磨損 | 襯墊上最小的RR磨損可延長(cháng)實(shí)用壽命 | 高RR磨損率降低使用壽命 | 正常運行時(shí)間，成本 |
| 襯墊磨損 | 延長(cháng)極板壽命 | RR摩擦縮短襯墊壽命 | 正常運行時(shí)間，成本 |
| 襯墊調節 | 所需的襯墊調節時(shí)間更短 | 需要更多的襯墊調節時(shí)間 | 正常運行時(shí)間，成本 |
| 熱量產(chǎn)生 | 扣環(huán)摩擦不會(huì )產(chǎn)生熱量 | 必須清除擋圈摩擦產(chǎn)生的熱量 | 薄膜設計具有更高的襯墊過(guò)熱風(fēng)險(工藝風(fēng)險) |
| 區域控制 | 晶圓上的2個(gè)區域，可調節 | 晶圓上的2個(gè)區域，可調節 |
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